三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上密度超传统HBM5十倍

，8月5日，美东时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。该芯片拥有超过40…